Op de lithografieafdeling is al een verschil van een halve graad tijdens het zachte bakproces voldoende om een goed gecontroleerd profiel van de fotorezist in een oneffenheid in de dikte te veranderen. De heater voor de ellipsometrieprobe is ontworpen om dit soort oneffenheden te voorkomen, nog voordat ze optreden. Hij is ontworpen met rekening gehouden met de thermische omstandigheden tijdens het drogen van de wafers, het voorbakken van de fotorezist en het nakooken na de belichting – hier bepaalt de temperatuuruniformiteit namelijk de geometrie van het apparaat.
Wat belangrijk is achter de schermen Er wordt gebruik gemaakt van een kortgolvig infraroodemitter in combinatie met een kwartsgestabiliseerde warmtetoevoer. Hierdoor blijft de temperatuur op het oppervlak van de wafer binnen ±0,1°C. Veranderingen in de ingestelde temperatuur worden onmiddellijk doorgevoerd, met een responstijd van minder dan een seconde. Het systeem is geschikt voor gebruik in een schone ruimte van klasse 1; er worden materialen en oppervlaktebehandelingen gebruikt die zorgen voor een minimale concentratie aan deeltjes. De uitgangstemperatuur blijft stabiel binnen 1% gedurende meer dan 5.000 uur, zodat het systeem 24/7 kan werken, met onderhoudsintervallen die gemakkelijk kunnen worden gepland.
Waarom dit belangrijk is in de praktijk In de dagelijkse gebruiks situatie zorgt deze precisie voor minder herwerking van de fotorezist en beschermt het het thermische evenwicht in het apparaat. De reproduceerbaarheid tijdens het zachte bakproces zorgt voor betere controle over de dikte van de fotorezist. Dit heeft weer invloed op de kwaliteit van het eindproduct. Hetzelfde stabiele warmteprofiel blijft behouden tijdens het harde bakproces en het opdrogen van de fotorezist, zonder dat er oneffenheden ontstaan door spanningen. Bovendien wordt er energie bespaard, omdat de emitter alleen het doelwit verwarmt en niet de wanden van de kamer. Ook wordt het procesbereik groter wanneer de thermische schokken verdwijnen.
De details die het mogelijk maken Voor het correct functioneren van het systeem is het belangrijk om de geometrie van de probe en de emissiviteit van het oppervlak van de wafer goed op elkaar af te stemmen. Diëlektrische lagen en metalisering op de achterkant van de wafer kunnen de effectieve instellingen van het systeem met enkele graden veranderen. Plan het montagesysteem dus goed van tevoren, en zorg ervoor dat de PID-regeling van de controller is aangepast aan de eigenschappen van je wafer. Zodra alles is afgestemd, levert de heater de benodigde reproduceerbaarheid, shift na shift.