Op de productielijn is een wafer die uit de reinigingsprocedure komt pas echt schoon wanneer deze volledig droog is. Eventuele restanten van water, microvlekken of verschillen in oppervlaktespanning kunnen later problemen veroorzaken, zoals problemen met de hechting van het fotoresistmiddel en defecten tijdens het lithografieproces. Wanneer het proces zich afspelt op een schaal van minder dan 2 nm, kan de standaarddroogingscyclus dit niet meer aan. De oorzaak ligt in de thermische factoren.
Wat technisch gezien echt belangrijk is
In plaats van brede straling gebruiken we gerichte energie-afgifte met behulp van NIR-straling. De golflengte wordt aangepast aan het absorptiepunt van water, en niet aan dat van het substraat. Hierdoor wordt er een thermische uniformiteit van ±0,1°C bereikt over het hele oppervlak van de wafer.
Het verdampingsproces wordt hierdoor voorspelbaar, zonder dat de wafer beschadigd raakt of het fotoresistmiddel ongewenst loskomt. Het apparaat is ontworpen voor gebruik in schone ruimten van klasse 1–100, en het werkt zonder enige storingen tijdens het gebruik.
Waarom dit werkt in het dagelijkse productieproces
Je hebt een proces nodig dat zich shift na shift kan herhalen. Onze thermische controle zorgt ervoor dat de oppervlaktespanning constant blijft, zodat de volgende laag fotoresist goed kan hechten.
Dit zorgt er vervolgens voor dat er minder variabelen zijn in het lithografieproces. Hierdoor wordt de controle over de lijndikte verbeterd en wordt herwerking verminderd. Het systeem heeft zich bewezen als betrouwbaar, 24/7, zonder onverwachte stilstanden. Hierdoor kan je de thermische parameters behouden en de productiecapaciteit behouden.
Wat je van tevoren moet regelen
Voor het gebruik van dit apparaat is het belangrijk om goed op te letten bij de integratie met de bestaande apparatuur. De droogingskamer moet goed worden aangesloten op de bestaande afvoersystemen voor vloeistoffen en chemische stoffen.
Het apparaat is robuust, maar gevoelig voor de dikte van de watervlaag op het oppervlak van de wafer. Daarom moet het reinigingsproces stabiel zijn. Er zal waarschijnlijk wat tijd nodig zijn om het thermische profiel af te stemmen op de specifieke reinigingschemicaliën en cyclustijd.
De voordelen zijn duidelijk: elke defect die wordt voorkomen tijdens het drogenproces, betekent een wafer minder die verloren gaat.