질화갈륨(GaN) MOCVD 히터

웨이퍼 제조 과정에서 GaN 에피택셜 성장 시 약간의 온도 변동만 있어도 수율에 치명적인 영향을 미칩니다. 두께 제어가 어려워지고, 시트 저항의 일관성도 떨어집니다. 그 결과, 고객들이 기대하는 성능을 내는 부품들을 만들 수 없게 됩니다. 기술적으로 중요한 점은 무엇...