웨이퍼 제조 과정에서 GaN 에피택셜 성장 시 약간의 온도 변동만 있어도 수율에 치명적인 영향을 미칩니다. 두께 제어가 어려워지고, 시트 저항의 일관성도 떨어집니다. 그 결과, 고객들이 기대하는 성능을 내는 부품들을 만들 수 없게 됩니다.
기술적으로 중요한 점은 무엇일까? 저희는 엄격하게 제어된 단파 적외선 소스와 석영 기반의 열 관리 시스템을 결합하여, 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 온도를 유지합니다. 이를 통해 웨이퍼 전체의 온도를 ±0.1°C 이내로 유지할 수 있습니다. 이는 실험실에서의 수치가 아니라, 반복적인 생산 과정에서도 동일한 온도 프로파일이 유지된다는 것을 의미합니다.
이 시스템은 클린룸 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 정상 가동 상태에서는 입자가 전혀 발생하지 않으며, Class 1–100 등급의 환경에서도 안정적인 출력을 보입니다.
왜 MOCVD에서 이 시스템이 효과적일까? MOCVD에서는 열적 반복성이 예측 가능한 에피택셜 성장과 비용이 많이 드는 재작업 사이의 결정적인 요소입니다. 안정적인 열 조건을 유지함으로써, 공정의 정확도가 높아지고 재작업의 필요성도 줄어듭니다.
히터는 빠르게 반응하여 온도를 정확하게 제어하기 때문에, 대기 상태에서의 안정화 시간도 줄어듭니다. 결과적으로 주기 시간이 단축되며, 필름의 품질을 저하시키지 않고도 작업 속도를 높일 수 있습니다. 에너지 사용도 더 효율적입니다. 적외선 출력은 부하에 맞게 조절되므로, 특정 부위가 과열되는 현상을 방지할 수 있습니다.
실제 운용 시 고려해야 할 사항들 이 히터는 일반적인 MOCVD 장비와 함께 사용될 수 있지만, 통합 과정에서는 챔버의 구조와 서스펙터로 가는 광선의 경로가 중요합니다. 방사율, 정렬 상태, 제어 설정 등을 조정하기 위해 함께 시운전을 진행하는 것이 좋습니다.
석영 부품에 유리 코팅이 생기면 피크 강도가 약간 낮아질 수 있습니다. 예방적인 유지보수를 꾸준히 진행한다면, 균일성을 유지할 수 있습니다.