Wafer yüzeyinde, GaN epitaksi sırasında meydana gelen birkaç derecelik sıcaklık değişimi, üretim verimliliğini olumsuz etkilemekle kalmaz; aynı zamanda üretimi tamamen imkansız hale getirir. Kalınlık kontrolü kaybolur, levha direncinde tutarlılık sağlanamaz ve müşterilerin ödediği cihazlar da düzgün çalışmaz.
Teknik olarak önemli olan şeyler
Biz, sıkı şekilde kontrol edilen kısa dalga boyundaki kızılötesi ışık kaynağı ile kuvars tabanlı termal yapıyı bir araya getiren bir GaN MOCVD kızılötesi ısıtıcı kullanıyoruz. Böylece wafer üzerinde tekrarlanabilir bir termal ortam sağlanır ve wafer seviyesinde sıcaklık ±0,1°C aralığında sabit tutulur. Bu laboratuvar ortamlarındaki değerler değildir; her seferinde, her oda için aynı termal profil elde edilir.
Bu platform, temiz oda koşulları için tasarlanmıştır: Düzenli çalışma durumunda hiçbir parçacık oluşmaz ve Class 1–100 ortamlarında istikrarlı bir çıkış sağlanır.
MOCVD’de neden işe yarar?
MOCVD’de termal tekrarlanabilirlik, öngörülebilir epitaksi ile pahalı yeniden işlemler arasındaki farkı belirler. Stabil bir termal ortam sayesinde daha az hata oluşur ve süreç kontrolü daha kolay hale gelir.
Isıtıcı hızlı tepki verir ve sıcaklığı sıkı şekilde kontrol altında tutar; bu sayede bekleme süresi azalır. Döngü süresi de azalır ve film kalitesinden ödün vermek gerekmez. Enerji kullanımı da daha verimlidir; kızılötesi enerji, yük miktarına göre ayarlanır, sıcak noktaları dengelemek için artırılmaz.
Karşılaşabileceğiniz pratik detaylar
Isıtıcı, standart MOCVD platformlarıyla çalışır; ancak entegrasyon, odanın geometrisine ve ısıtıcının konumuna bağlıdır. Emisivite, hizalama ve kontrol ayarlarını optimize etmek için ortak bir devreye alma işlemi yapılmalıdır. Kuvars bileşenleri kaplandıkça zirve yoğunluğunda küçük düşüşler olabilir. Önleyici bakım programları uygulanarak homojenlik normların içinde tutulabilir.