Sul piano della wafer, anche un leggero cambiamento di temperatura durante l’epitassia del GaN può compromettere notevolmente la qualità dei prodotti ottenuti. Si perde il controllo sull’spessore dello strato depositato, nonché sulla resistenza elettrica dello stesso; inoltre, i dispositivi realizzati con queste wafer non funzionano correttamente.
Cosa è davvero importante, dal punto di vista tecnico
Utilizziamo un riscaldatore a infrarossi basato su tecnologia MOCVD, in grado di mantenere una uniformità termica a livello sub-millimetrico. Questo è possibile grazie all’utilizzo di una sorgente a onde corte ben controllata, abbinata a un sistema termico basato su quarzo. Il risultato è un campo termico costante su tutta la superficie della wafer, con una variazione di temperatura inferiore a ±0,1°C. Si tratta di parametri realistici, ottenibili in ogni ciclo di produzione, indipendentemente dalla camera utilizzata.
La piattaforma è progettata per funzionare in ambienti sterili: non si generano particelle durante il funzionamento, e l’output termico rimane stabile anche in ambienti di classe 1–100.
Perché questa soluzione funziona bene nella tecnologia MOCVD
Nella tecnologia MOCVD, la ripetibilità termica è fondamentale per garantire un processo di epitassia preciso. Grazie a questo sistema, si ottengono valori termici stabili da ciclo a ciclo, riducendo così i problemi legati alla qualità del prodotto.
Il riscaldatore risponde rapidamente e mantiene un controllo preciso sulla temperatura, riducendo così il tempo necessario per raggiungere la temperatura desiderata. Inoltre, l’uso dell’energia è più efficiente: l’intensità delle onde infrarosse viene regolata in base al carico richiesto, senza dover aumentare l’intensità per compensare le zone troppo calde.
Dettagli pratici da considerare
Il riscaldatore funziona con le piattaforme MOCVD standard, ma la sua integrazione dipende dalla geometria della camera e dalla posizione del substrato. È necessario pianificare una fase di collaudo per regolare al meglio l’emissività, l’allineamento e i parametri di controllo.
Si nota una leggera diminuzione nell’intensità luminosa quando i componenti in quarzo iniziano ad accumularsi sulla superficie della wafer. È quindi importante seguire un programma di manutenzione preventiva per mantenere l’uniformità termica entro i limiti previsti.