<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Nitride on Pure Quartz Infrared Heaters</title>
		<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/vi/tags/nitride/</link>
		<description>Recent content in Nitride on Pure Quartz Infrared Heaters</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>vi</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Thu, 18 Jun 2026 01:09:37 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://pure-quartz-ir-heater.com/vi/tags/nitride/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Bộ sưởi MOCVD từ nitrua gallium (GaN)</title>
				<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/vi/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 01:09:37 +0800</pubDate>
				<guid>http://pure-quartz-ir-heater.com/vi/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://pure-quartz-ir-heater.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;Bộ sưởi MOCVD từ nitrua gallium (GaN)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Trên bề mặt wafer, chênh lệch nhiệt độ dù chỉ vài độ &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;trong&lt;/a&gt; quá trình tạo lớp epitaxial từ GaN cũng có thể làm giảm hiệu suất sản xuất một cách đáng kể. Bạn sẽ mất kiểm soát về độ dày của lớp vật liệu, đồng thời chất lượng điện trở của wafer cũng không còn ổn định nữa. Những linh kiện được chế tạo từ wafer này sẽ không thể hoạt động tốt như mong đợi.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
