Эмиттер on Pure Quartz Infrared Heaters

Керамическая крышка для излучателя ИК света

Sun, 28 Jun 2026 01:33:26 +0800

При производстве полупроводниковых устройств термический баланс является критически важным фактором. Небольшие отклонения температуры во время сушки пластин, обработки фотополимера или затвердевания корпуса могут привести к изменению критических размеров устройства, оставлению остатков веществ или ослаблению соединений между компонентами. Мы разработали керамические излучатели, которые помогают устранить такие отклонения, стабилизируя температуру именно в тех местах, где это необходимо – прямо в зоне обработки.

Самое важное при работе в условиях нагрузки – это возможность повторяемости процесса. Керамические излучатели обеспечивают стабильную поддержку диэлектрической среды и точное расположение излучателя, что позволяет сохранять стабильность температуры. Излучатель реагирует быстро и четко, обеспечивая высокую однородность температуры в целевой зоне. Это позволяет сохранять стабильные параметры обработки фотополимера и контролировать процесс удаления растворителей во время сушки пластин.

Линейный инфракрасный нагревательный излучатель

Fri, 05 Jun 2026 01:26:00 +0800

На литографическом этаже слышен цикл работы печи, пока линия простаивает. Когда профили выпечки фотоплёнки отклоняются, выход продукции снижается — по одному градусу за раз. Вам нужен источник тепла, который учитывает тепловой бюджет подложки, а не камеры.

Что имеет значение с технической точки зрения
Мы разработали линейный инфракрасный обогреватель на основе ближних инфракрасных (NIR) длин волн, чтобы энергия направлялась прямо в фотоплёнку и стекло подложки. Это обеспечивает отклик менее чем за секунду, плотный термоконтроль и однородность на уровне подложки в пределах ±0.1°C по всей активной зоне выпечки. Каждый эмиттер поддерживает стабильные, воспроизводимые установленные значения день за днем, с отклонением выходной мощности ниже 5% после более чем 5000 часов работы. Система спроектирована в соответствии с международными стандартами оборудования для полупроводников и обеспечивает проверенную, эквивалентную производительность по сравнению с традиционными галогенными и кварцевыми источниками.