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		<title>Nitride on Pure Quartz Infrared Heaters</title>
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		<description>Recent content in Nitride on Pure Quartz Infrared Heaters</description>
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				<title>Aquecedor de nitreto de gálio (GaN) MOCVD</title>
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				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 01:09:37 +0800</pubDate>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://pure-quartz-ir-heater.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;Aquecedor de nitreto de gálio (GaN) MOCVD&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;No chão de produção, mesmo pequenas variações de temperatura durante o processo de epitaxia do GaN podem comprometer significativamente a qualidade dos produtos finais. Perde-se o &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;controle&lt;/a&gt; da espessura do material, além da consistência da resistência elétrica do mesmo. Os dispositivos produzidos não funcionam corretamente.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;O que é importante, do ponto de vista técnico:&lt;/strong&gt;&#xA;Utilizamos um aquecedor infravermelho de tipo MOCVD para manter uma uniformidade abaixo de um milímetro. Isso é possível graças à combinação de uma fonte de radiação infravermelha de onda curta, controlada com precisão, com um sistema térmico baseado em quartzo. O resultado é um campo térmico uniforme por toda a superfície do wafer, com uma variação de temperatura de no máximo ±0,1°C. Esse não é um valor teórico: é o mesmo perfil térmico obtido em cada ciclo de produção, independentemente da câmara utilizada.&lt;/p&gt;</description>
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