<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Pembersihan on Pure Quartz Infrared Heaters</title>
		<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/ms/tags/pembersihan/</link>
		<description>Recent content in Pembersihan on Pure Quartz Infrared Heaters</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Tue, 30 Jun 2026 01:38:56 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://pure-quartz-ir-heater.com/ms/tags/pembersihan/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Lampu pengeringan wafer selepas proses pembersihan.</title>
				<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/ms/posts/wafer-drying-lamp-after-cleaning/</link>
				<pubDate>Tue, 30 Jun 2026 01:38:56 +0800</pubDate>
				<guid>http://pure-quartz-ir-heater.com/ms/posts/wafer-drying-lamp-after-cleaning/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://pure-quartz-ir-heater.com/images/0a976f8a438e1a813cc995e9355a4471.png&#34; alt=&#34;Lampu pengeringan wafer selepas proses pembersihan.&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Dalam proses pembersihan, kualiti keseluruhan proses tersebut bergantung sepenuhnya pada langkah pengeringan yang dijalankan seterusnya. Jika kawalan suhu &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;tidak&lt;/a&gt; dilakukan dengan baik, maka akan timbul kesan-kesan seperti kesan air, perbezaan ketegangan permukaan, dan kekotoran mikro. Kami telah mencipta &lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;modul&lt;/a&gt; lampu pengeringan yang dapat mengatasi masalah-masalah ini setelah proses pembersihan selesai. Dengan cara ini, permukaan wafer akan tetap kering dan stabil dari segi suhu sebelum proses litografi dimulakan.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Apa yang benar-benar penting&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Modul ini menggunakan sumber inframerah gelombang pendek dan sederhana dalam satu paket lampu yang diperkuat oleh bahan kuarsa. Ini membolehkan pemanasan yang cepat dan selektif pada permukaan wafer. Kita dapat mengekalkan suhu yang stabil pada tahap ±0.1°C di seluruh permukaan wafer, manakala keseragaman spatial juga berada dalam julat yang sama. Reka bentuk modul ini sesuai &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;untuk&lt;/a&gt; digunakan dalam bilik bersih kelas 1, dengan bahan-bahan yang menghasilkan gas yang &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;sedikit&lt;/a&gt;, serta aliran udara yang terkawal, sehingga tidak ada pembentukan zarah semasa operasi berjalan. Ketumpatan tenaga lampu dipertahankan agar lapisan air dapat dibersihkan dengan cepat, tanpa melebihi had suhu yang ditetapkan untuk photoresist.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
			<item>
				<title>Bagaimana untuk mengeringkan wafer selepas dibersihkan</title>
				<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/ms/posts/how-to-dry-wafer-after-cleaning/</link>
				<pubDate>Thu, 25 Jun 2026 01:29:01 +0800</pubDate>
				<guid>http://pure-quartz-ir-heater.com/ms/posts/how-to-dry-wafer-after-cleaning/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://pure-quartz-ir-heater.com/images/eeeb9669114c0c0a0b2bef3f902d01a9.png&#34; alt=&#34;Bagaimana untuk mengeringkan wafer selepas dibersihkan&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di dalam bilik pengeluaran yang canggih ini, wafer yang keluar daripada proses pembersihan sebenarnya belum dianggap bersih sepenuhnya sehingga ia benar-benar kering. Sebarang sisa air, kotoran mikro, atau perbezaan tegangan permukaan akan menyebabkan masalah pada lapisan fotoresist dan kecacatan pada wafer semasa proses litografi. Apabila julat suhu semasa proses pengeringan menurun di bawah 2 nm, kaedah pengeringan biasa tidak lagi efektif. Punca utamanya adalah faktor haba.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;h3 id=&#34;apa-yang-benar-benar-penting-dari-segi-teknikal&#34;&gt;Apa yang benar-benar penting dari segi teknikal&lt;/h3&gt;&#xA;&lt;p&gt;Kita menggunakan kaedah pemanasan yang lebih tepat, iaitu penggunaan tenaga &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;berfrekuensi&lt;/a&gt; inframerah dekat (NIR). Panjang gelombang tersebut disesuaikan agar sesuai dengan titik penyerapan air, bukan pada permukaan wafer itu sendiri. Dengan cara ini, suhu permukaan wafer dapat dikawal pada tahap ±0.1°C di seluruh permukaannya.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
