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		<title>Gallio on Pure Quartz Infrared Heaters</title>
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		<description>Recent content in Gallio on Pure Quartz Infrared Heaters</description>
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				<title>Riscaldatore a MOCVD di nitruro di gallio (GaN)</title>
				<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/it/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 01:09:37 +0800</pubDate>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://pure-quartz-ir-heater.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;Riscaldatore a MOCVD di nitruro di gallio (GaN)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Sul piano della wafer, anche un leggero cambiamento di temperatura durante l’epitassia del GaN può compromettere notevolmente la qualità dei prodotti ottenuti. Si perde il controllo sull’spessore dello strato depositato, nonché sulla resistenza elettrica dello stesso; inoltre, i dispositivi realizzati con queste wafer non funzionano correttamente.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Cosa è davvero importante, dal punto di vista tecnico&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Utilizziamo un riscaldatore a infrarossi basato su tecnologia MOCVD, in grado di mantenere una uniformità termica a livello sub-millimetrico. Questo è possibile grazie all’utilizzo di una sorgente a onde corte ben controllata, abbinata a un sistema termico basato su quarzo. Il risultato è un campo termico costante su tutta la superficie della wafer, con una variazione di temperatura inferiore a ±0,1°C. Si tratta di parametri realistici, ottenibili in ogni ciclo di produzione, indipendentemente dalla camera utilizzata.&lt;/p&gt;</description>
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