<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Nitride on Pure Quartz Infrared Heaters</title>
		<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/fa/tags/nitride/</link>
		<description>Recent content in Nitride on Pure Quartz Infrared Heaters</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>fa</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Thu, 18 Jun 2026 01:09:37 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://pure-quartz-ir-heater.com/fa/tags/nitride/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>گرمکن MOCVD نیترید گالیوم (GaN)</title>
				<link>http://pure-quartz-ir-heater.com/fa/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 01:09:37 +0800</pubDate>
				<guid>http://pure-quartz-ir-heater.com/fa/posts/gallium-nitride-gan-mocvd-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://pure-quartz-ir-heater.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;گرمکن MOCVD نیترید گالیوم (GaN)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;در سطح ویفر، تغییرات دمایی در حد چند درجه در فرآیند اپیتکسی گان، نه تنها باعث کاهش بازدهی می‌شود، بلکه آن را کاملاً از بین می‌برد. در چنین شرایطی، کنترل ضخامت لایه‌ها از بین می‌رود؛ همچنین یکپارچگی مقاومت الکتریکی لایه‌ها نیز از بین می‌رود. در نتیجه، دستگاه‌هایی که مشتریان برای خرید آن‌ها پول می‌پردازند، عملکرد مناسبی نخواهند داشت.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;آنچه از نظر فنی اهمیت دارد:&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;ما از یک گرمکن مادون قرمز نوع MOCVD برای حفظ یکنواختی دمایی در سطح ویفر استفاده می‌کنیم؛ این گرمکن با استفاده از منبع مادون قرمز کوتاه‌موج و ساختار حرارتی مبتنی بر کوارتز، یکنواختی دمایی را در محدوده ±۰.۱ درجه سانتی‌گراد حفظ می‌کند. این مقدار، فقط یک عدد آزمایشگاهی نیست؛ بلکه همان الگوی حرارتی است که در هر بار اجرای فرآیند، و در هر محفظه، حاصل می‌شود.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
