Wafer Trocknungsleuchte nach der Reinigung

Tue, 30 Jun 2026 01:38:56 +0800

Im Endeffekt hängt die Qualität des gesamten Nachspülvorgangs davon ab, wie gut die anschließende Trocknungsphase abläuft. Wenn die Temperaturkontrolle ungenau ist, treten Wasserspuren, Gradienten in der Oberflächenspannung sowie mikroscopische Verunreinigungen auf. Wir haben unser Wafern-Trocknungsmodul so konzipiert, dass diese Schwankungen nach dem Reinigen beseitigt werden – dadurch verfügt die Wafer über eine stabile, trockene Oberfläche sowie eine vorhersagbare Temperaturstruktur, wenn sie zur Lithografie verwendet wird.

Was wirklich wichtig ist
Das Modul kombiniert Kurzwellen- und Mittelwellen-Infrarotquellen in einem mit Quarz verstärkten Lampenpaket. Dadurch wird eine schnelle, selektive Erwärmung der Oberfläche erreicht. Die Zieltemperatur bleibt dabei innerhalb von ±0,1 °C konstant, und auch die räumliche Homogenität liegt im selben Toleranzbereich. Das Modul ist für den Einsatz in Reinräumen der Klasse 1 geeignet – es verwendet Materialien mit geringer Ausgasung sowie einen Luftstrom, der die Partikelbildung während des Betriebs auf Null reduziert. Die Leistungsdichte ist so kalibriert, dass die Spülverschicht schnell entfernt wird, ohne dass die thermischen Bedingungen des Photoresists beeinträchtigt werden.

Wie man Wafer nach der Reinigung trocknet

Thu, 25 Jun 2026 01:29:01 +0800

Auf der Produktionsfläche ist ein Wafer, der aus dem Reinigungsprozess kommt, erst dann wirklich sauber, wenn er völlig trocken ist. Jegliche verbleibenden Wasserspuren, Mik befleckungen oder Spannungsrückstände auf der Oberfläche führen später zu Problemen bei der Haftung des Photoresists sowie zu Defekten während der Lithografie. Wenn das Prozessfenster unter 2 nm sinkt, reicht der herkömmliche Spin-Trocknungsprozess nicht mehr aus. Die Ursache liegt dabei im thermischen Effekt.

Was technisch wirklich wichtig ist:
Anstelle einer allgemeinen Erwärmung wird hier eine gezielte Energiezufuhr mittels Infrarotstrahlung verwendet. Die Wellenlänge wird so gewählt, dass sie auf den Wasserabsorptionspeak abgestimmt ist – nicht auf die Eigenschaften des Substrats. Dadurch wird eine thermische Homogenität von ±0,1°C auf der gesamten Oberfläche des Wafers erreicht. Die Verdunstung wird somit vorhersehbar – ohne dass der Wafer beeinträchtigt wird oder der Photoresist ausgasen muss. Die Anlage ist für den Einsatz in Reinräumen der Klasse 1–100 konzipiert und arbeitet ohne jegliche Partikelprobleme.

Reinigung on Pure Quartz Infrared Heaters

Wafer Trocknungsleuchte nach der Reinigung

Wie man Wafer nach der Reinigung trocknet