Trong quy trình sản xuất, sự thay đổi nhiệt độ trong giai đoạn sấy wafer hoặc nung chảy chất phủ quang học không chỉ là một điểm bất thường trên biểu đồ SPC mà còn dẫn đến việc giảm hiệu suất sản xuất. Chúng tôi đã thiết kế giải pháp sử dụng băng dính gia nhiệt công suất cao dựa trên nguyên lý sử dụng bức xạ hồng ngoại ngắn波 (NIR), vì phương pháp này giúp truyền nhiệt một cách ổn định và nhanh chóng vào bề mặt wafer mà không cần tiếp xúc trực tiếp với nó.
Điều quan trọng cần lưu ý Năng lượng từ bức xạ NIR có thể xuyên qua lớp wafer và băng dính một cách nhanh chóng, giúp duy trì nhiệt độ ở mức ổn định. Độ chính xác về nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt wafer vào khoảng ±0,1°C, điều này giúp kiểm soát các kích thước quan trọng của wafer một cách hiệu quả sau khi xử lý. Hệ thống này có thể xử lý cả quy trình nung ở nhiệt độ thấp lẫn nhiệt độ cao, với khả năng kiểm soát nhiệt độ chính xác, nhờ đó giảm được sự biến động trong quá trình nung chảy chất phủ quang học.
Giải pháp này phù hợp với môi trường phòng sạch cấp độ 1–100, với các vật liệu ít tạo ra hạt bụi và thiết kế giúp giảm lượng khí thải ra ngoài. Các bộ gia nhiệt hoạt động liên tục ở nhiệt độ cao, và hiệu suất của chúng vẫn ổn định qua hàng nghìn lần sử dụng.
Tại sao giải pháp này phù hợp với quy trình sản xuất Bạn cần phải sấy wafer sau các bước làm sạch, và nung chảy chất phủ quang học sau quá trình phủ lớp chất phủ lên wafer, để đảm bảo tính nhất quán trong mỗi lần sản xuất. Bức xạ NIR giúp cung cấp nhiệt độ một cách chính xác, do đó giúp rút ngắn thời gian xử lý và giảm mức tiêu thụ năng lượng, mà vẫn duy trì được độ ổn định về nhiệt độ. Điều này giúp kiểm soát chính xác các kích thước của wafer, giảm số lượng sản phẩm cần sửa chữa, và tăng tỷ lệ sản xuất ổn định.
Giao diện giữa băng dính và wafer vẫn ổn định qua nhiều lần xử lý, do đó mối liên kết nhiệt vẫn được duy trì ổn định từ lô sản xuất này sang lô sản xuất khác.
Những điều cần lưu ý Bức xạ NIR yêu cầu phải có tầm nhìn trực tiếp giữa nguồn phát và bề mặt wafer; nếu có khoảng cách giữa chúng, hiệu quả sẽ bị giảm. Băng dính cần phải có độ dày và khả năng bám dính đồng đều trên toàn bộ bề mặt wafer; nếu không, sẽ xuất hiện những điểm nóng cục bộ. Bạn cần lập kế hoạch cho dòng khí lưu thông và các biện pháp bảo vệ để tránh những tác động không mong muốn từ ánh sáng phản xạ.
Chúng tôi cung cấp các hướng dẫn về việc chọn loại băng dính và cách gắn chúng vào wafer. Tôi khuyên bạn nên thực hiện các bài kiểm tra ngắn để xác định nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt wafer trước khi bắt đầu quy trình sản xuất thực tế.