در کارخانههای تولید، ویفری که از مرحله تمیزکاری خارج میشود، تا زمانی که کاملاً خشک نشود، واقعاً تمیز محسوب نمیشود. هرگونه آثار باقیمانده از آب، لکههای ریز یا تفاوتهای تنش سطحی، در مراحل بعدی منجر به مشکلاتی در چسبندگی فوتورزیست و نقصهایی در فرآیند لیتوگرافی خواهد شد. وقتی که فاصله بین ابعاد ذرات کمتر از ۲ نانومتر شود، روش استاندارد خشک کردن ویفر دیگر کافی نخواهد بود. علت اصلی این مشکل، مسائل حرارتی است.
آنچه از نظر فنی اهمیت دارد:
ما از روش گرمایش گسترده جایگزین آن با انتقال انرژی هدفمند با استفاده از نور مادون قرمز کردهایم. طول موج این نور، بر اساس پیک جذب آب تنظیم شده است؛ نه بر اساس خصوصیات سطح صفحه. این روش باعث میشود که یکنواختی حرارتی در سطح کل ویفر، در محدوده ±۰.۱ درجه سانتیگراد باشد.
تبخیر آب نیز قابل پیشبینی خواهد بود؛ بدون اینکه ویفر دچار آسیب شود یا فوتورزیست از سطح آن خارج شود. این سیستم برای استفاده در اتاقهای تمیز در کلاس ۱ تا ۱۰۰ مناسب است؛ همچنین در طول فعالیت، هیچ ذرهای در سیستم وجود نخواهد داشت.
چرا این روش در کارخانههای تولید مؤثر است:
شما به فرآیندی نیاز دارید که بتواند بارها و بارها تکرار شود. کنترل حرارتی این سیستم، در مرحله حیاتی پس از تمیزکاری، کارایی خوبی دارد؛ بنابراین انرژی سطحی ویفر در هر بار لایهبرداری، یکنواخت باقی میماند.
این یکنواختی، یکی از متغیرهای مهم در فرآیند لیتوگرافی را از بین میبرد؛ این امر مستقیماً به بهبود کنترل ضخامت لایهها کمک میکند و موجب کاهش کارهای تکراری میشود. این سیستم، با قابلیت کارکرد ۲۴/۷ و بدون هیچ مشکلی، به شما کمک میکند تا بودجه حرارتی خود را حفظ کنید و بهرهوری تولید را حفظ کنید.
آنچه باید از همان ابتدا در نظر گرفته شود:
برای استفاده از این سیستم، نیاز به توجه دقیق به جزئیات وجود دارد. محفظه خشککن باید به سیستم تخلیه گازهای موجود در اتاق تمیز متصل شود.
این دستگاه محکم است، اما در برابر ضخامت لایه آب روی سطح ویفر حساس است؛ بنابراین فرآیند تمیزکاری باید پایدار باشد. انتظار داشته باشید که زمان تنظیمات اولیه، کم باشد تا پروفایل حرارتی دستگاه با شرایط شیمیایی و زمان لازم برای تمیزکاری هماهنگ شود.
پاداش این کار واضح است: هر نقصی که در مرحله خشککردن جلوگیری شود، به معنای کاهش تعداد ویفرهای از کار افتاده خواهد بود.